18.06.2026 09:54
Samsung, transistörleri dikey olarak üst üste yerleştiren 3D Stacked FET teknolojisini tanıttı. 42 nanometrelik kapı aralığına ulaşan yeni yapı, geleceğin yapay zekâ ve yüksek performanslı işlemcileri için önemli bir dönüm noktası olabilir.